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SiC如何助力電動汽車?yán)m(xù)航里程延長5%
發(fā)布時間:2023-10-27 08:09:55

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不斷增長的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束,以及越來越豐富的可選方案,都在推動著人們選用電動汽車(EV),這令電動汽車日益普及。高盛研究公司近期發(fā)布的一項研究顯示,到2023年,電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%;到2030年,這一數(shù)據(jù)預(yù)計將增長至  30%;到2035年,電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。

然而,“里程焦慮”,也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長,則是影響電動汽車普及的主要障礙之一。克服這一挑戰(zhàn)的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)將電動汽車的續(xù)航里程延長多達(dá) 5%。另外,文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商(OEM)不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)過渡到 SiC 器件,以及供應(yīng)鏈上的企業(yè)為緩解 OEM 的擔(dān)憂同時提升 OEM 對這種成熟的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的信心所做的努力。


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汽車主驅(qū)逆變器設(shè)計趨勢

電動汽車中的主驅(qū)(主)逆變器將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓,從而滿足電動牽引電機(jī)對交流電壓的需求,令其能夠順利驅(qū)動車輛。主驅(qū)逆變器設(shè)計的最新趨勢包括:

·增加功率:逆變器的功率輸出越大,車輛加速越快,對駕駛員的響應(yīng)也越快。

·效率最大化:最大限度地減少逆變器消耗的電量,以增加用來驅(qū)動車輛的功率。

·提高電壓:直到最近,400V 電池一直都是電動汽車中最常見的規(guī)格,但汽車行業(yè)正在向 800V 發(fā)展,以減小電流、電纜厚度和重量。為此,電動汽車中的主驅(qū)逆變器必須能夠處理這種更高的電壓并使用合適的組件。

·減輕重量和尺寸:與硅基 IGBT 相比,SiC 具有更高的功率密度(kW/kg)。更高的功率密度有助于減小系統(tǒng)尺寸(kW/L),減輕主驅(qū)逆變器的重量,同時減少電機(jī)的負(fù)載。車輛重量降低有助于在使用相同電池的情況下延長車輛的行駛里程,同時減小傳動系統(tǒng)的體積,增加乘員和后備箱的可用空間。


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SiC 相對于硅的優(yōu)勢

與硅相比,碳化硅在材料特性方面具有多種優(yōu)勢,因而成為主驅(qū)逆變器設(shè)計的更優(yōu)選擇。首先是它的物理硬度,達(dá)到了 9.5 莫氏硬度,而硅為 6.5 莫氏硬度,所以碳化硅更適合高壓燒結(jié)并具有更高的機(jī)械完整性。再者,碳化硅的熱導(dǎo)率(4.9W/cm.K)是硅(1.15W/cm.K)的四倍多,這意味著它可以更有效地傳遞熱量從而在更高溫度下可靠運(yùn)行。最后,碳化硅的擊穿電壓(2500kV/cm)是硅(300kV/cm)的8倍多,而且它具有寬帶隙性質(zhì),能夠更快地導(dǎo)通和關(guān)斷,因而成為電動汽車日益升高的電壓(800V)架構(gòu)的更優(yōu)選擇,同時更寬的帶隙電壓意味著它的損耗比硅更低。


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安森美的 SiC 封裝具有出色的低熱阻


盡管 SiC 具有明顯的優(yōu)勢,但一些汽車 OEM 廠商還是遲遲不肯放棄更傳統(tǒng)的硅基開關(guān)器件,例如用于主驅(qū)逆變器的 IGBTOEM 廠商不愿采用 SiC 的原因包括:

·認(rèn)為SiC是一種尚未成熟的技術(shù)
·覺得SiC難以實施
·以為SiC沒有適合主驅(qū)應(yīng)用的封裝
·認(rèn)為SiC的供應(yīng)不如硅基器件便利
·覺得SiCIGBT更貴

那么,如何使 OEM 更有信心在電動汽車主驅(qū)逆變器中使用SiC呢?

提升OEM信心的第一步是展示在主驅(qū)逆變器設(shè)計中使用SiC可實現(xiàn)的明顯性能優(yōu)勢。筆者使用電路設(shè)計軟件對安森美的NVXR17S90M2SPB1.7mΩRdson)和NVXR22S90M2SPB2.2mΩ RdsonEliteSiC Power 900V 六組功率模塊進(jìn)行了仿真,并將其性能與 820A VE-Trac Direct IGBT(同樣來自安森美)進(jìn)行了比較。主驅(qū)逆變器設(shè)計的仿真結(jié)果表明:

·對于 10KHz 開關(guān)頻率下 450V 直流母線電壓和 550Arms 功率傳輸,在相同散熱條件下,SiC模塊的Tvj(結(jié)溫)(111°C)比 IGBT142°C)低 21%

·與 IGBT 相比,NVXR17S90M2SPB 的平均開關(guān)損耗降低了 34.5%NVXR22S90M2SPB 的平均開關(guān)損耗則降低了 16.3%。

·與基于 IGBT 的設(shè)計相比,使用NVXR17S90M2SPB實施的全主驅(qū)逆變器設(shè)計的總體損耗降低了 40% 以上,使用 NVXR22S90M2SPB 時功率損耗則降低了25%。

雖然這些改進(jìn)針對的是主驅(qū)逆變器,但它們可以使電動汽車整體能效提高5%,從而使續(xù)航里程延長5%。例如,配備100kW電池、續(xù)航里程為500公里的電動汽車,如果使用基于安森美EliteSiC功率模塊的主驅(qū)逆變器,那么它的行駛里程則可達(dá)525公里。值得注意的是,在此類主驅(qū)逆變器中使用SiC的成本也將比硅IGBT5%

此外,在尺寸相近的情況下,需要證明SiCIGBT提供更高的功率傳輸。對于考慮放棄IGBTOEM而言,安森美提供了具有類似尺寸的SiC模塊,不但便于集成,而且還簡化了實施過程,無需對制造流程進(jìn)行任何更改。此外,SiC 模塊還具有在相同結(jié)溫下提供更高功率的額外優(yōu)勢。例如,NVXR17S90M2SPB 可提供 760Arms,而 IGBTTvj =150°C)只能提供 590Arms,前者比后者增加了 29% 的功率。此外,安森美將 SiC 芯片燒結(jié)在直接鍵合銅板上,使器件結(jié)點(diǎn)和冷卻劑之間的熱阻降低多達(dá) 20%Rth 結(jié)點(diǎn)到流體=0.08oC/W)。

采用先進(jìn)互連技術(shù)的壓鑄模封裝進(jìn)一步提高了 SiC 模塊的高功率密度,并且具有低雜散電感(對于高速開關(guān)效率非常重要),而且更高的開關(guān)頻率有助于減小系統(tǒng)中一些無源組件的尺寸和重量。此外,這種封裝類型具有多種工作溫度選項(最高達(dá) 200°C),可降低 OEM 的散熱要求,并有望采用更小的泵進(jìn)行熱管理。

除了主驅(qū)逆變器之外,還可以在更廣泛的架構(gòu)中改用 SiC。隨著電動汽車電池電壓的增加,汽車制造商可以在維持相同功率輸出的情況下減小電流。從系統(tǒng)層面而言,這意味著汽車中的電纜將變得更細(xì)。轉(zhuǎn)向SiC將變得越來越合理,因為 SiC 器件產(chǎn)生的熱量比硅基器件更少,可實現(xiàn)更高的功率密度,不僅是在主驅(qū)逆變器中,而且在更廣泛的電動汽車架構(gòu)中也能發(fā)揮巨大作用。


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