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安森美重申:不排除再建SiC工廠
發(fā)布時間:2023-08-11 11:39:54

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芯片制造商安森美半導(dǎo)體公司近日預(yù)測第三季度營收將高于市場預(yù)期,因為市場樂觀地認(rèn)為汽車行業(yè)的強勁需求將抵消半導(dǎo)體行業(yè)整體疲軟的影響。截至美國時間當(dāng)天中午,這家總部位于亞利桑那州的公司股價上漲超過3.4%,至108.68美元,今年迄今已上漲68.5%

電動汽車的日益普及給OnsemiNXP Semiconductors等芯片制造商帶來了福音。Onsemi今年5月表示,正在考慮投資超過20億美元來提高碳化硅芯片的產(chǎn)量,以延長電動汽車的續(xù)航里程。

Onsemi正在考慮在韓國、美國和捷克共和國的現(xiàn)有場地建設(shè)新工廠。

安森美首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury之前受訪時稱,該該公司的碳化硅芯片生產(chǎn)目前集中在其位于韓國富川市的一家工廠。該公司計劃尋找端到端生產(chǎn)方式,簡而言之,即無論選擇哪個生產(chǎn)據(jù)點,都可以將原始碳化硅粉末轉(zhuǎn)化為芯片。

Hassane El-Khoury告訴路透社,如果需求持續(xù)增長,該公司愿意建造全新工廠(the company is open to building brand new factories if demand continues to rise)。但與此同時,使用現(xiàn)有場地將有助于使碳化硅業(yè)務(wù)的利潤率與更廣泛的公司利潤率保持一致,即使在考慮了擴大生產(chǎn)的支出之后也是如此。

El-Khoury 告訴路透社:目前(現(xiàn)有站點)是可行的方法,我們用運營現(xiàn)金流來支付。

汽車芯片制造商恩智浦上周預(yù)測第三季度營收和利潤強勁,表現(xiàn)出對穩(wěn)定汽車需求的信心。

Onsemi為大眾汽車(VOWG_p.DE)等公司生產(chǎn)傳感器并供應(yīng)芯片,預(yù)計第三季度收入在 21億美元至22億美元之間。根據(jù)Refinitiv IBES數(shù)據(jù),分析師平均預(yù)期收入為20.7億美元。

截至630日的第二季度,該公司收入升至20.9億美元,高于分析師預(yù)期的20.2億美元。Onsemi的電源解決方案集團提供電源管理芯片,約占季度總收入的53%,推動了營收的增長。根據(jù)Refinitiv的數(shù)據(jù),經(jīng)調(diào)整后,該公司在報告季度的每股收益為1.33美元,而預(yù)期為每股1.21美元。

值得一提的是,按照Hassane El-Khoury在第一季度財報電話會議上披露,安森美加速的碳化硅制造產(chǎn)量超出了公司的內(nèi)部計劃,使其的碳化硅收入環(huán)比增長了近一倍,而且公司的 ADAS和能源基礎(chǔ)設(shè)施收入同比增長了約50%。根據(jù)相關(guān)報告調(diào)研統(tǒng)計,如圖所示,STMicroelectronics擁有最大的市場份額,但2022年真正的增長來自安森美半導(dǎo)體,其市場份額增長了一倍多。

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按照安森美的預(yù)期,到2027年前,自家的SiC市占率將提高到40%。該公司預(yù)測,SiC市場能以10-12%的復(fù)合年增率擴大,銷售從去年的83億美元攀升到139億美元。此外,安森美希望現(xiàn)金流能從去年的16億美元,在2027年以前增為35億美元。

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能擁有這樣的雄心,得益于onsemi在技術(shù)上的進步。

今天五月,Onsemi方面透露,公司正在開發(fā)采用溝槽結(jié)構(gòu)而不是平面結(jié)構(gòu)的碳化硅 MOSFET,預(yù)計將于今年晚些時候提供樣品,預(yù)計將于2024年提供樣品。

該公司在捷克共和國布爾諾附近設(shè)有碳化硅外延晶圓廠,并在韓國的一家晶圓廠進行器件制造。轉(zhuǎn)向溝槽結(jié)構(gòu)允許在150毫米(6英寸)晶圓上構(gòu)建更多器件,從而降低器件成本。該公司還有一個200毫米(8英寸)SiC晶圓生產(chǎn)的工程計劃。

在此之前,安森覓推出了最新一代1200V EliteSiC M3S器件,其導(dǎo)通電阻降至。這些產(chǎn)品針對800 V電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,例如EV充電、太陽能和儲能系統(tǒng)。

EliteSiC M3S器件還用于采用標(biāo)準(zhǔn)F2封裝且具有低Rds(on)的半橋功率集成模塊(PIM)。該模塊針對工業(yè)應(yīng)用,非常適合DC-AC、AC-DCDC-DC高功率轉(zhuǎn)換級。它們通過優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計提供更高水平的集成,以實現(xiàn)并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。PIM旨在為能源基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源(UPS)提供高功率密度。

“onsemi最新一代汽車和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品將使設(shè)計人員能夠減少其應(yīng)用占用空間和系統(tǒng)冷卻要求,”onsemi高級副總裁兼高級電源部門總經(jīng)理Asif Jakwani表示。這有助于設(shè)計人員開發(fā)具有更高效率和更高功率密度的高功率轉(zhuǎn)換器。

符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的1200 V EliteSiC MOSFET專為高達22 kW的高功率OBC和高壓至低壓 DC-DC轉(zhuǎn)換器而定制。M3S技術(shù)專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā)。

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