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據(jù)了解，英飛凌將大幅擴建馬來西亞居林的SiC產能，將在 2022 年 2 月宣布的投資之上，追投50億歐元新建一個全球最大的8吋SiC工廠。

據(jù)悉，該計劃的擴張得到了客戶承諾的支持，其中包括汽車和工業(yè)應用領域約 50 億歐元的新設計勝利以及約 10 億歐元的預付款。

未來五年，加上 Villach 和 Kulim 計劃的 200 毫米 SiC 轉換，這項投資將在本十年末帶來約 70 億歐元的年 SiC 收入潛力。這個競爭激烈的制造基地將支持英飛凌在本十年末實現(xiàn) 30% 的 SiC 市場份額目標。英飛凌有信心公司2025財年的SiC營收將提前實現(xiàn)10億歐元的目標。

據(jù)悉，英飛凌該擴張計得到了客戶的廣泛支持，資金來源包括：汽車和工業(yè)應用領域約50 億歐元的新定點合同，以及現(xiàn)有和新客戶約 10 億歐元的預付款。

新定點的客戶包括3家中國汽車企業(yè)。英飛凌公布的名單中有福特、上汽和奇瑞?？稍偕茉搭I域客戶包括SolarEdge和中國三大領先的光伏和儲能系統(tǒng)公司。

海外龍頭紛紛瞄準8英寸擴產

1.Wolfspeed最早布局

2015年Wolfspeed便對外展示了8英寸碳化硅襯底。2019年5月，Wolfspeed宣布投入10億美元進行莫霍克谷新廠的建設。4月26日，全球最大的碳化硅供應商Wolfspeed公司宣布其位于美國紐約州莫霍克谷的碳化硅制造新廠開業(yè)，首批碳化硅晶圓已在早些時候開始制造。這座工廠采用的是8英寸碳化硅晶圓加工技術，也是全球首條8英寸生產線。這座工廠的啟動，加快了碳化硅行業(yè)從6英寸向8英寸晶圓過渡的步伐。

上個月，Wolfspeed發(fā)布消息稱公司已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應的產品型號為C3M0040120K。也是這批次產品的正式交付，對碳化硅器件價格競爭更為劇烈起到了推動作用。

而隨著莫霍克谷工廠的投產，Wolfspeed也對未來的增長更加看好，近期，Wolfspeed已經(jīng)將2024財年的收入目標上調至10億至11億美元，同比增長34%~47%。

在襯底端，Wolfspeed往8英寸方向變革也顯露出了更大的布局規(guī)劃，2022年9月9日，Wolfspeed 宣布，將投資約13億美元（約90億人民幣），在北卡羅來納州新建一個號稱世界上最大的碳化硅襯底工廠。新工廠計劃建于查塔姆縣（Chatham County），臨近Wolfspeed 已建成的達勒姆（Durham）碳化硅襯底工廠。

查塔姆新工廠建成將使他們的碳化硅產能增加10倍以上，主要生產8吋碳化硅襯底，供應Wolfspeed的紐約莫霍克谷工廠。

2.羅姆第三座新工廠導入8英寸

就在上月初，羅姆宣布，已和出光興產（Idemitsu）旗下太陽能電池生產子公司Solar Frontier達成基本協(xié)議，計劃在今年10月取得其太陽能面板制造工廠“國富工廠（宮崎縣國富町）”的資產（廠房和土地），將其打造成碳化硅（SiC）功率半導體新生產據(jù)點。

根據(jù)計劃，該SiC功率半導體新工廠目標是在2024年末開始生產，將成為繼宮崎市、福岡縣筑后市之后，Rohm的第三座SiC功率半導體生產據(jù)點。

Rohm現(xiàn)有的2座生產據(jù)點采用6吋SiC晶圓產線，而新工廠將導入8吋SiC晶圓產線，以便提高生產效率。

Rohm預計，新的生產基地預計到2030財年滿產，屆時碳化硅產能將達到2021財年的35倍。

3.ST與湖南三安合資擴產8英寸

6月8日，據(jù)意法半導體官網(wǎng)消息，公司與三安光電宣布，雙方已簽署協(xié)議，在中國重慶建立一個新的200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)。該項目的完成有待監(jiān)管部門批準。

據(jù)透露，新的碳化硅工廠計劃于2025年第四季度投產，預計在2028年全面建成，以支持中國汽車電氣化以及工業(yè)電力和能源應用不斷增長的需求。與此同時，三安光電將單獨建設和運營一個新的 200mm SiC 襯底制造工廠，以滿足合資企業(yè)的需求，使用自己的 SiC 襯底工藝。

值得一提的是，該合資企業(yè)將使用意法半導體專有的碳化硅制造工藝技術，專門為意法半導體生產碳化硅器件，并作為意法半導體的專用代工廠，支持其中國客戶的需求。

4.博世收購TSI半導體，2026年生產8吋碳化硅晶圓

今年5月，據(jù)路透社報道，德國博世集團（BOSCH）已經(jīng)同意收購總部位于美國加利福尼亞州羅斯維爾（Roseville）的芯片制造商TSI半導體（TSI Semiconductors）的關鍵資產，并宣布再投資15億美元擴大其在美國的電動汽車用碳化硅芯片的產能。

據(jù)了解，此次收購包括 TSI 建物、機器和基礎設施、商業(yè)半導體業(yè)務。博世還將投資15億美元改建工廠，并計劃于2026年在其1萬平方英尺的無塵室生產8吋碳化硅晶圓。

博世并未公布收購金額，同時強調，實際的后續(xù)投資金額將視美國芯片法案補助額決定。

資料顯示，TSI半導體在美國加州 Roseville 有座 8 吋晶圓廠，員工有 250 人，為客制化 (ASIC) 芯片的專業(yè)代工商。TSI羅斯維爾工廠生產的碳化硅芯片可以為電動汽車提供更長的續(xù)航里程，充電速度更快，因此在電動汽車領域的需求將日益增長。根據(jù)博世的說法，市場對碳化硅半導體的需求正以每年30%的速度增長。收購完成后該廠將與博世位于德國兩座晶圓廠成為博世的三大支柱。

雖海外市場擴產腳步已紛紛轉向8英寸，但實際大規(guī)模量產仍需幾年時間。

意法半導體汽車和分立器件產品部功率晶體管事業(yè)部市場溝通經(jīng)理Gianfranco DI MARCO表示，硅基半導體的發(fā)展歷史證明，改用更大尺寸的晶圓可以提高生產率。這是越來越多廠商積極推進8英寸晶圓的主要原因之一。

但碳化硅晶圓向8英寸升級并不容易，即便有少數(shù)幾家公司能夠成功量產8英寸晶圓也不意味著碳化硅的8英寸時代就此到來。IGBT發(fā)明人B.Jayant Baliga演講時就曾指出，碳化硅功率器件可以用更短的溝道長度和更小的單元尺寸來實現(xiàn)傳統(tǒng)器件的功能。但碳化硅與硅基半導體材料相比，襯底生長極為困難和緩慢，8英寸與6英寸碳化硅晶圓的工藝有很大差別，也更加復雜。

目前，我國碳化硅襯底晶圓制造領域，量產生產線仍以6英寸為主，且有效產能仍較低，還需攻克良率及成本問題，產線升級8英寸還有難度。國內目前津少量企業(yè)新建/擴產產能以購買6-8兼容的設備機臺，來為即將到來的8英寸時代做儲備。

面對8英寸時代的挑戰(zhàn)，國內器件廠商應與襯底、外延等原材料廠商積極配合，充分整合國內產業(yè)鏈企業(yè)，共同開發(fā)8英寸材料、工藝等技術，包括降低芯片導通電阻及芯片面積，提高單晶圓產出。同時整合國內供應鏈，利用國產襯底外延材料價格及產能優(yōu)勢，降低成本提高產出，在研發(fā)、技術、工藝、質量、產業(yè)化等多個維度全面提升核心競爭力。